光刻加工

接触式光刻：MA6 / MA8光刻机。最小线宽2um，套刻精±0.5um。

激光直写光刻：DWL66+。最小线宽700nm，套刻精度10%。

电子束光刻：JEOL 6300FS / Raith Voyager。最小线宽20nm，套刻精度±10nm。

步进式光刻：stepper i10 / i12。最小线宽400nm，曝光误差±0.1um。

衬底大小：8英寸、6英寸、4英寸、2英寸以及不规则小片

光刻加工是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，利用曝光和显影在光刻胶层上刻画器件结构，再通过刻蚀工艺将掩膜上的图形转换到衬底上。米格实验室目前掌握接触式光刻，激光直写光刻，电子束光刻，步进式光刻，等多种光刻技术。

硅片，玻璃，蓝宝石，GaAs，柔性材料等