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服务描述
SOI基InAs量子点FP腔激光器：
在CMOS兼容SOI衬底上生长III-V材料的新方法。本产品使用SOI为基底，InAs量子点为光源，FP腔为谐振腔，发出多纵模相干光的电泵浦发光器件。
相关工作参数如下：
输出功率：＞20mW
工作温度：~55℃
阈值电流：~80mA
激光峰值：1300nm（±20nm）
项目介绍
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SOI基InAs量子点FP腔激光器：
在CMOS兼容SOI衬底上生长III-V材料的新方法。本产品使用SOI为基底，InAs量子点为光源，FP腔为谐振腔，发出多纵模相干光的电泵浦发光器件。
相关工作参数如下：
输出功率：＞20mW
工作温度：~55℃
阈值电流：~80mA
激光峰值：1300nm（±20nm）
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