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服务描述
技术指标
（1）可以测定8寸及以下晶圆，适用抛光片硅片、SiC、InP、GaAs等
（2）元素分析范围（Na~U）
（3）检测限：1E9原子/cm²
（4）为后续分析从缺陷检测工具倒入测量坐标
Table1：TXRF仪器针对元素的检测种类及探测极限
元素 | LLD | 元素 | LLD | 元素 | LLD |
使用W靶X射线光源探测 | 使用Mo靶X射线光源 | ||||
S | 80 | Fe | 3.2 | Br | 8.0 |
Cl | 40 | Ni | 2.0 | Au | 13 |
K | 20 | Cu | 1.8 | Ga | 26 |
Ca | 16 | Zn | 1.5 | As | 13 |
Ti | 10 | Pd | 130 | Pb | 8.0 |
Cr | 5.0 | Sn | 70 | Ta | 26 |
Ba | 50 | W | 22 | ||
Pt | 16 | ||||
最低检测限值为LLD*1E9 at/cm3，同时针对不同靶材可以探测不同元素 | |||||
3. 测试标准：
硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法GB/T24578-2015
4. 收费情况：
（1）按照3个点的位置坐标（1个中心+中心两侧的直径上2点），价格3500/片；
（2）按照5个点的位置坐标（1个中心+中心两侧的相互垂直直径上4点），价格5000/片；
（3）根据测试的元素不同，需要选择W靶或者Mo靶，两种靶材都用则按标准价格*2倍。
项目介绍
表面元素定性定量分析
样品要求
（1）可以测定8寸及以下晶圆，适用抛光片硅片、SiC、InP、GaAs等
（2）元素分析范围（Na~U）
（3）1E9原子/cm² 检测限
（4）为后续分析从缺陷检测工具倒入测量坐标
结果展示
暂无
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