扩展电阻（SRP）技术

1.仪器设备：

 

SRP设备为匈牙利的SEMILAB SSM2000

SRP测试原理图

2.主要技术指标：

扩展电阻： 1Ω - 1e9Ω

电 阻 率：  1e-4 - 4e4 Ω.cm

载流子浓度： 1e11 - 1e21 cm-3

纵向结深分辨率： 5nm

3. 测试须知：

（1）确定材料种类：Si

（2）确定掺杂类型：n或p型

（3）确定晶向类型：正面所对应的晶向，对于Si

（4）掺杂浓度范围：设备测试范围1E11~1E21cm-3

（5）定位测试位置：磨片后在开始位置做好标记，借助光学显微镜或则SEM进行定位

（6）确定芯片结构：芯片结构深度和内部最小特征决定于选择磨角角度

（7）注意事项：测试芯片SRP要求金属层去除，防止在磨样过程中污染截面

SRP（Spreading resistance profile）即扩散电阻分布是一种以较高分辨率测试半导体材料扩展电阻、电阻率、载流子浓度分布等电学参数的方法，属于一种实验比较的方法。该方法的步骤是先测量一系列点接触的扩展电阻（Rs是导电金属探针与硅片上一个参考点之间的电势降与流过探针的电流之比），再用校准曲线来确定被测样品在探针接触点附近的电阻率，进而换算成系列测试点所对应的的载流子浓度。为了提升空间分辨率，同时根据目标测量深度不同，可以将样品截面方向磨成一系列的角度，将硅片磨角后可以测量分辨深度方向5 nm电阻率的变化。

尺寸1*1cm左右，没有金属层

载流子浓度随深度变化曲线